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[와이즈맥스 뉴스] DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 개발 확대

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작성자 와이즈맥스 댓글 0건 조회 5,857회 작성일 23-10-18 13:43

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- 전기 전자 반도체 뉴스 -

8인치 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 DB하이텍이 차세대 전력반도체인 질화갈륨(GaN), 실리콘카바이드(SiC, 탄화규소) 디바이스 제조에 필요한 핵심 장비를 도입하여 초기 투자를 진행했다는 소식입니다.

전력반도체는 전자제품의 전력을 분배하고 제어하는 역할을 하고 이중 GaN·SiC 소재의 칩은 기존 실리콘 반도체 대비 고전압·고주파·고온에 강해 전력 효율과 수명이 높습니다. 그 덕에 전기차, 신재생에너지, 고속충전, 5G등 신규 고성장 분야의 차세대 반도체로 각광받고 있습니다.

DB하이텍은 이같은 추세에 맞춰 경쟁우위의 주력 사업인 전력반도체 라인업을 GaN·SiC 등으로 확대할 계획이며 특히 전기차 인버터에 주로 적용되는 SiC은 1200V 이상 초고전압을 견뎌야 하는 등 기술적 난이도가 매우 높습니다. DB하이텍은 SiC가 아직 6인치 웨이퍼가 주류임을 고려해 초기 8인치 시장에 적기 진입, 점유율을 높여 간다는 전략입니다.

이를 위해 GaN 전문 팹리스인 에이프로세미콘과 기술협력해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있고 SiC는 국책과제 일환으로 부산테크노파크 등과 함께 개발에 협력 중입니다.

시장조사기관인 욜디벨롭먼트는 GaN 시장이 2022년 1억8500만달러에서 2028년 20억3500만달러로 연평균 약 49%로 급속 성장할 것이라 예측했고 SiC 시장은 2022년 17억9400만달러에서 2028년 89억600만달러까지 연평균 약 31% 성장할 것으로 전망했습니다.


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