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인텔은 12월 11일 ~ 12월15일까지 미국 캘리포니아 주 샌프란시스코에서 진행되는 IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2021을 통해 핵심 패키징, 트랜지스터, 양자물리학 분야 신기술을 공개한다고 밝혔습니다.

인텔은 이 행사를 통해 3D 적층 반도체의 집적도를 향상시킬수 있는 포베로스 다이렉트등 패키징 기술, 오는 2024년부터 적용될 3차원 트렌지스터 구조인 리본펫, 한 반도체 다이 당 수백만 개의 트랜지스터를 더 집적할수 있는 새로운 소재 관련 연구 성과를 공개했습니다. 또 300mm 반도체 웨이퍼에 실리콘 기반 CMOS를 적용한 GaN(질화갈륨) 전원 스위치를 공개했고 인텔은 새로 개발한 스위치를 통해 프로세서 전력 손실을 최소화하고 PC메인보드 부피를 줄일수 있을것이라고 설명했습니다.