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대면적으로 제작 가능한 고성능 이차원 반도체 전자소자가 개발되어 고집적 한계에 직면한 실리콘 반도체 소자의 대안으로 주목받고 있습니다.

한국연구재단은 조정호 연세대학교 교수와 강주훈 성균관대학교 교수 공동연구팀(제1저자:연세대 권용현 박사과정, 성균관대 김지현 박사과정)이 이온이 주입된 형태의 절연층을 활용한 고성능 대면적 이차원 반도체 전자소자 개발에 성공했다고 밝혔습니다.

두께가 원자 단위인 이차원 반도체 소재는 고집적도의 칩 생산이 가능하지만 이론 대비 성능이 낮고 대면적 제작이 쉽지 않아 제품화에 어려움이 있었습니다.

이차원 반도체 소재는 두께가 원자 단위로 매우 얇은 소재로 물질의 구조가 두 가지 주요 차원으로만 제한되는 소재이며 이러한 소재는 평면적인 특성을 가지며 표면적이 매우 크고 이로 인해 독특한 물리적 및 전기적 특성을 갖게 됩니다.

연구팀은 전기적 특성이 우수하고 대면적 생산이 가능한 이차원 반도체 소재인 이황화몰리브덴(MoS2)에 이온이 주입된 절연층(SodiumEmbedded Alumina, SEA)을 도입한 고성능 MoS2/SEA 반도체 전자소자를 개발하여 문제해결의 실마라를 찾았습니다.

또한 고성능 MoS2를 용액공정으로 대량 합성하고 잉크형태로 제작 후, 반도체 산업에서 활용하는 슬롯다이 코팅 기법으로 절연층과 반도체층 모두 5인치 대면적 웨이퍼에 균일하게 코팅하는 공정도 개발했습니다.

참고로 슬롯 다이 코팅은 반도체 웨이퍼 표면에 정확한 두께의 코팅을 형성하는 기술로 특수장비를 사용하여 반도체 웨이퍼를 안정적으로 고정한 후 이동시키며 동시에 코팅 재료를 슬롯(구멍)을 통해 웨이퍼 표면에 코팅하는 방식입니다.

연구팀이 이온이 주입된 절연층을 활용해 고성능 MoS2 트랜지스터 전자소자의 구동을 확인한 결과 최고 전하이동도가 100 cm2 V-1 s-1 이상이었고 이는 기존 용액공정 기반 MoS2 트랜지스터들의 전하이동도가 산화실리콘 기판에서 약 1~5 cm2 V-1 s-1 임과 비교해 최고 100배 이상 향상된 결과입니다.

또한 높은 전하이동도의 원인을 밝히기 위해 전하수송 현상과 절연 소재의 일함수(재료 표면에서 전자가 이탈하기 위해 필요한 최소 에너지)를 분석한 결과 MoS2/SEA 반도체 전자소자에서 전하의 이상적인 이동을 관찰하였습니다.

더불어 연구팀은 MoS2/SEA 반도체 전자소자를 활용해 다양한 로직 회로를 구현하여 실제 전자 제품에 응용 가능성을 입증했습니다.

조정호 교수는 "이번에 개발한 전자소자는 대면적에 코팅한 MoS2 트랜지스터 중 최고 성능을 달성하여 이차원 반도체 소재의 고성능 소자화 및 대면적화를 동시에 만족하는 방법을 제시하고 이차원 반도체 소자의 실용화 가능성을 높였다"라고 연구의 의의를 밝혔습니다.