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미국 램리서치가 새 반도체 장비를 공개했습니다. 3차원(3D) 구조 트랜지스터 개발을 지원하는 제품인데요 ‘Argos’ ‘Prevos’ ‘Selis’ 등 3가지로 구성되는 고선택비 식각장비 신제품을 출시한다고 밝혔습니다.

선택비는 식각하려는 물질과 식각되지 않는 비율을 의미하는데요 높을수록 충분한 식각이 가능하다는 것으로 공정 개선에 직접적인 영향을 미칩니다.

램리서치는 “새로운 케미스트리 솔루션을 적용해 GAA(Gate-All-Around) 기술 개발을 돕도록 했고 첨단 로직 및 메모리 설계와 공정에 이점을 제공할 것”이라고 말했습니다. GAA는 트랜지스터의 게이트와 채널이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 공법인데요 전류의 흐름을 조절하는 트랜지스터는 게이트와 채널의 접촉면이 많을수록 전류 흐름을 세밀하게 제어할 수 있습니다. 현재 반도체 업계는 집적도 한계 극복을 위해 평면 구조에서 3D 구조로의 기술 혁신을 이뤄내고 있는데요 이번 신제품은 첨단 로직 구조인 나노시트 또는 나노와이어 형성을 지원하는 데 필요한 초고도 선택적 식각과 막질을 손상하지 않는 기술을 제공합니다.

삼성전자 등 글로벌 반도체 제조사는 첨단 로직 웨이퍼 개발 프로세스에서 고선택비 식각 기술을 도입한 것으로 전해지는데요 램리서치로서는 장비 공급 확대가 기대되는 요인입니다.

삼성전자 반도체연구소 배근희 마스터는 “반도체 집적도와 복잡성이 증가하면서 선택적 식각 기술은 최첨단 로직 디바이스 기술을 제조하는 데 중요한 요소가 됐다”면서 “최근 생산량 증대와 GAA 소자 및 그 이상의 로드맵 가속화를 위해서 선택적 식각의 광범위한 혁신과 역량이 필요한 상황”이라고 말했습니다.

팀 아처 램리서치 최고경영자(CEO)는 “램리서치는 반도체 산업의 3D 구조로의 이동을 지원하고 차세대 디지털 기술을 현실화하는 데 필요한 웨이퍼 제조 기술 발전을 주도하고 있다”며 “첨단 로직 및 메모리를 위한 최첨단 고선택비 식각 솔루션 제품군을 출시하며 그 전통을 이어가게 된 것을 자랑스럽게 생각한다”고 전했습니다.

한편 고선택비 식각 장비 신규 제품군은 램리서치 한국 생산법인 램리서치매뉴팩춰링코리아에서 생산합니다.