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고온의 열처리 대신 상온에서 자외선을 쬐어 주는 것으로 산화물 반도체의 광전류를 1000배 이상 증폭하고 제어할수 있는 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다는 소식입니다.

한국연구재단에 따르면 포항공대 연구팀이 기존 열처리 대신 자외선으로 산화물 반도체의 광전류를 증폭하고 실시간으로 제어할 수 있는 기술 개발에 성공했다는 소식인데요

페로브스카이트 결정을 이용한 주석 산화물 반도체는 가시광선 빛이 투과할수 있는 넓은 밴드갭, 전자가 빠르게 흐를 수 있는 높은 상온 전자이동 등 장점이 많은데요 이로인해 투명 반도체 소자, 전력 반도체, UV 검출기를 위한 차세대 소재로 주목받고 있습니다.

특히 지능형 광소자의 요구에 따라 광전류가 실시간으로 변하는 재구성 반도체 소자는 고민감성 광검출기, 홀로그램 메모리 소자 등으로 응용될수 있습니다.

때문에 가역적으로 산화물 반도체 내의 특정 부분에서만 다량의 광전자를 형성하기 위한 연구가 매우 중요합니다.

이에 연구팀은 상온에서 페로브사카이트 산화물 반도체에 자외선을 쬐어 국부적 영역에 서 산소 빈자리 결함을 생성하고 또 소멸시킬수 있음을 알아내었습니다.

실제 연구팀은 이같은 원리를 이용해 기존 대비 1000배 이상의 광전류를 구현하는데 성공했습니다.

산소 빈자리 결함은 외부 산소 압력을 다양하게 조절하는 것만으로 생성과 소멸은 물론 빈자리 결함 농도도 제어할수 있습니다.

이는 멀티레벨 스위칭(직접 네트워크 경로로 전달) 등 다기능 재구성 소자의 실마리가 될수 있을것으로 기대되고 있습니다.