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삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 14나노미터 D램 양산에 돌입했습니다.

이번 14나노 D램은 14나노대에서 구현 가능한 최소의 선폭이 적용된 업계 최선단 제품인데요 삼성전자는 메모리 반도체 경쟁력과 직결된 선폭 미세화 경쟁에서 한발 앞서가게 된 만큼 마이크론, SK하이닉스와 3파전을 벌이고 있는 글로벌 D램 반도체 시장에서 점유율을 한층 확대해 나간다는 전략이라고 합니다.

삼성전자는 이번 14나노 D램은 업계에서 유일하게 멀티레이어(5개층)에 EUV 공정을 적용해 14나노대에서 구현 가능한 최선단의 공정을 구현했다고 하는데요 업계에서는 세대가 거듭되고 공정이 미세화할수록 원가 절감 난이도가 급격히 높아지는 만큼 삼성이 이번 양산을 기점으로 주요 경쟁사에 비해 한발 앞선 경쟁력을 확보하게 되었다는 평가가 나오고 있습니다.

14나노 D램은 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상되었으며 소비전력 역시 이전 공정 대비 약 20% 개선되었다고 합니다. 삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate5) D램에 가장 먼저 적용할 계획이라고 하는데요 DDR5는 최고 7.2Gbps 의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배이상 빠른 차세대 D램 규격이라고 합니다.

최근 인공지능(AI), 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속해서 커져가고 있어 삼성전자는 메모리 반도체 시장의 선두주자가 되어 DDR5 D램의 대중화를 선도한다고 합니다.