최신뉴스

- 반도체 뉴스 -

파운드리 업체 DB하이텍이 차세대 전력반도체 소재인 실리콘카바이드(SiC) 시장 진출을 가속화한다는 소식입니다. 기존 6인치 SiC 공정 개발에서 한발 더 나아가 내달부터 8인치 공정 개발에 착수하고 공정 개발을 위한 장비 역시 올해 중으로 투자가 진행될 예정입니다.

14일 업계에 따르면 DB하이텍은 신사업의 일환으로 내달 8인치 SiC 공정 개발을 시작하고 양산은 오는 2028년을 목표로 하며 생산능력은 월 2만장 수준이 예상됩니다.

그동안 DB하이텍은 SiC 공정 개발을 8인치가 아닌 '6인치'로 진행해왔는데 현재까지 상용화 된 SiC 웨이퍼의 크기가 4·6인치 제품이기 때문입니다.

주요 웨이퍼 제조업체들이 8인치 SiC 웨이퍼를 상용화하는 시점은 2024~2025년으로 예정돼 있고 이에 DB하이텍은 비교적 개발이 원활한 6인치 SiC 공정 기술력을 먼저 확보하고 이를 토대로 8인치 SiC 공정 개발 및 양산에 나선다는 계획을 세웠습니다.

DB하이텍은 다음달 8인치 SiC 공정 개발을 앞두고 현재 8인치 SiC 웨이퍼 확보 및 고객사와의 협력을 준비중인 것으로 알려졌습니다.

8인치 SiC 공정 설비 투자 역시 올해 진행되며 설비는 DB하이텍의 상우캠퍼스 내 유휴 공간에 들어설 예정입니다.

설비의 리드타임(주문에서부터 납기까지 걸리는 시간)을 고려하면 DB하이텍이 해당 설비로 8인치 SiC 공정 개발을 본격화하는 시기는 2024년 말로 전망되고 있습니다.

SiC는 기존 반도체에 사용된 실로콘(Si) 대비 내구성 및 전력 효율성이 높은 차세대 전력반도체 소재이며 덕분에 자동차, 통신 등 미래의 핵심 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가하는 추세입니다.